芯片級HBM靜電防護(hù)分析平臺
通過非線性仿真和 TLP 模型,確保對HBM放電路徑的精準(zhǔn)仿真。
支持版圖提取,pad和ESD防護(hù)器件識別,并生成寄生電阻簡化模型。
通過仿真pad-pad HBM沖擊,評估IR drop和電流密度。
識別內(nèi)部電路的過壓器件,檢測錯誤或缺失的 ESD單元,解決過高電壓、電遷移和電流分布不均衡等問題。
多種仿真分析確保高準(zhǔn)確度
業(yè)界領(lǐng)先的ESD驗證工具
覆蓋流片前ESD sign-off的HBM應(yīng)力條件
突顯邊緣器件,規(guī)避現(xiàn)場故障
覆蓋金屬化和內(nèi)部電路sneak-path檢查
設(shè)置簡單高效,適用于整個設(shè)計流程
數(shù)模混合HBM
靜電防護(hù)分析
汽車芯片HBM
靜電防護(hù)分析
電源管理芯片HBM
靜電防護(hù)分析
數(shù)字芯片HBM
靜電防護(hù)分析